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GHK-BEX/GWY耐高溫接近開(kāi)關(guān)技術(shù)指標(biāo)

用于生產(chǎn)耐高溫接近開(kāi)關(guān)的先進(jìn)技術(shù)利用半導(dǎo)體制造中的多種原理來(lái)生產(chǎn)接近開(kāi)關(guān)接近開(kāi)關(guān)可包括集成在襯底上的單片信號(hào)調(diào)節(jié)電路。使用的信號(hào)調(diào)理器包括用于接近開(kāi)關(guān)的CMOS定時(shí)器，并產(chǎn)生近似線性的電壓輸出接近開(kāi)關(guān)± 2%相對(duì)濕度，5%至95%相對(duì)濕度。接近開(kāi)關(guān)和電容效應(yīng)、接近開(kāi)關(guān)連接電纜的電容變化受傳感元件和信號(hào)調(diào)節(jié)電路之間的距離限制。除非對(duì)接近開(kāi)關(guān)進(jìn)行激光調(diào)整以將方差減小到± 2%或提供基于計(jì)算機(jī)的重新校準(zhǔn)方法，否則直接現(xiàn)場(chǎng)互換性可能會(huì)出現(xiàn)問(wèn)題。

基于接近開(kāi)關(guān)，它在低相對(duì)濕度下提供離散信號(hào)變化，在長(zhǎng)期使用中保持穩(wěn)定，漂移小，但在小于幾個(gè)相對(duì)濕度時(shí)不是線性的。這些特性導(dǎo)致了露點(diǎn)測(cè)量系統(tǒng)的發(fā)展，包括基于接近開(kāi)關(guān)和微處理器的電路，這些電路將校準(zhǔn)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)在非易失性存儲(chǔ)器接近開(kāi)關(guān)單片電路中，以提供作為相對(duì)濕度函數(shù)的電壓輸出?；谟?jì)算機(jī)的系統(tǒng)記錄的電壓輸出范圍為-40度到27度。使用可追溯的冷鏡濕度計(jì)確認(rèn)參考露點(diǎn)。然后，接近開(kāi)關(guān)中獲得的電壓和露點(diǎn)或冰點(diǎn)值存儲(chǔ)在線性回歸算法中的儀器微處理器中，這些值與同時(shí)進(jìn)行的干球溫度測(cè)量一起用于計(jì)算水蒸氣壓力。

接近開(kāi)關(guān)通常由貴金屬電極組成，貴金屬電極通過(guò)光刻膠技術(shù)沉積在基板上，或沉積在塑料或玻璃圓柱體上的纏繞電極上。基底涂有鹽或?qū)щ娋酆衔?。?dāng)它溶解或懸浮在液體粘合劑中時(shí)，它起到均勻涂層接近開(kāi)關(guān)的作用?；蛘?，可以用活化化學(xué)物(例如酸)處理基質(zhì)。

耐高溫接近開(kāi)關(guān)可生產(chǎn)各種規(guī)格、尺寸和形狀，包括集成單片電子元件。在涂有多孔金屬電極的基板接近開(kāi)關(guān)上的兩個(gè)導(dǎo)電電極之間沉積聚合物或金屬氧化物膜以防止污染和暴露于冷凝?；逋ǔ椴Ａ?、陶瓷或硅(增量介電常數(shù)幾乎與周?chē)h(huán)境的相對(duì)濕度成正比接近開(kāi)關(guān)，其特點(diǎn)是溫度系數(shù)低，能在高溫下工作，從冷凝中恢復(fù)，并具有合理的耐化學(xué)蒸汽性。